Модуль памяти DDR3 8192Mb GOODRAM (GR1333D364L9⁄8G) 1333MHz, PC3-10666, CL9, (9-9-9-27), 1.5V, (Kit:1x8192MB) GR1333D364L9⁄8G |
| Код производителя: [GR1333D364L9⁄8G] |
| Код: 64505 |
|
Модуль памяти DDR3 8192Mb GOODRAM (GR1333D364L9⁄8G) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. DDR3 8192Mb GOODRAM (GR1333D364L9⁄8G) - это одно планка памяти, обьемом 8192Mb. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600 МБ⁄с.DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.Преимущества по сравнению с DDR2:- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ⁄с), - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), - меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Характеристики GOODRAM DDR3 8GB 1333 MHz (GR1333D364L9⁄ 8G)
Производитель GOODRAM
Модель DDR3 8GB 1333 MHz
Код GR1333D364L9⁄ 8G
Назначение Для настольного компьютера
Объем памяти 8 GB
Тип памяти DDR 3
Частота шины 1333 MHz
Пропускная способность шины PC3-10666
Латентность (тайминги) CL9 (9-9-9-27)
Номинальное напряжение 1.5V
Кол-во модулей в комплекте (Kit: 1x8GB)
|
eсть на складе
|
|
|
|
|
|
|
Мы признательны вам за помощь в поддержке актуальности информации на сайте.
Если Вы заметили ошибки, опечатки или неточности, пожалуйста, сообщите нам ( office@eps.kiev.ua) |
|